메모리반도체 경쟁 양상 삼성전자 SK하이닉스 1분기 실적 개선 예상

올해 메모리반도체 슈퍼사이클(초호황)을 앞두고 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 강자들의 양산 경쟁이 본격화되는 양상이다.

내년까지 이어질 수요 급증에 대비해 생산력을 강화하는 모습으로 양사의 실적 개선으로 이어질 전망이다.

삼성 데이터센터 전용 SSD

10일 관련업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스 프리미엄급 제품 중심으로 D램과 낸드플래시 양산을 확대해 나가고 있다.

삼성전자는 지난해 8월 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인에서 업계 최초로 메모리에 극자외선 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) 모바일 D램을 생산하고 있다.

이어 올해는 EUV 공정기술에 기반한 4세대 10나노급(1a) D램도 본격적인 생산에 나설 것으로 보인다.

SK하이닉스 18GB LPDDR5 모바일 D램

SK하이닉스도 올해에 EUV 기술을 기반으로 EUV 활용도 4세대 10나노급(1a) D램 양산을 시작하고 향후 향후 를 높여나갈 계획이다.

4세대 제품은 지난해 하반기부터 본격 양산에 들어간 3세대(1z) 제품에 비해 생산성이 40% 개선된다.

앞서 회사는 최근 업계 최대 용량인 18기가바이트(GB)에 6400초당메가비트(Mb/s) 속도로 동작하는 모바일 D램 양산에 들어갔다. 이는 용량은 기존 제품(16GB·5500Mb/s)에 비해 용량은 확대됐고 속도도 20% 빨라진 것이다.

6400Mb/s는 풀HD(FHD)급 영화(5GB) 10편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도로 최고 사양 스마트폰에 장착돼 고해상도 게임과 동영상을 재생하는 데 최적의 환경을 지원한다는 것이 회사측의 설명이다.

D램과 함께 메모리반도체의 한 축을 담당하고 있는 낸드플래시에서도 고성능 하이엔드 제품 양산이 본격화될 전망이다.

삼성전자는 현재 개발 중인 7세대 176단 V낸드의 연내 양산을 추진 중이다. 회사가 7세대 제품부터 2개의 낸드를 이어붙이는 ‘더블스택’ 방식으로 공정을 전환하기로 하는 등 기술력 차별화를 꾀하고 있다.

회사는 이미 올 상반기 중 6세대 V낸드를 기반으로 한 데이터센터 전용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PM9A3 E1.S’ 양산을 시작하기로 했다. SSD는 메모리 반도체 중 하나인 낸드플래시 기반의 차세대 저장장치로 데이터센터 서버의 핵심 부품이다.

삼성전자양사가 고성능 제품 중심으로 D램과 낸드 제품 양산에 속도를 내고 있는 것은 메모리 초호황으로 급증할 수요에 대비하기 위한 행보다. 이미 D램 가격은 완연한 상승세를 보이고 있고 낸드도 하반기 본격적인 반등을 예고하고 있다.

시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 지난달 말 기준 서버용 32기가비트(Gb) D램 평균 거래고정가격은 199달
러로 전월대비 3.48% 올랐다. 또 다른 시장조사업체 트렌스포스는 올해 연간 기준으로 서버용 D램 가격이 40% 성장할 것으로 전망하고 있다.

디램익스체인지에 따르면 낸드플래시 범용제품인 128Gb 멀티레벨셀(MLC)의 고정거래가격은 4.2달러로 4개월째 같은 가격을 유지했다.

하지만 수요가 증가하고 있는 반면 공급이 제한적인 상황이어서 2분기부터 조금씩 가격이 상승하기 시작해 하반기 본격적인 상승 국면에 접어들 것이라는 전망이 나오고 있다.

이 때문에 메모리 시장의 양강인 삼성전자와 SK하이닉스 는 1분기부터 가파른 실적 개선세가 예상된다.

전 세계 D램 시장에서 양사가 차지하고 있는 점유율은 70%가 넘고 낸드플래시 시장에서도 40%를 넘어선다. 

SK하이닉스가 인수를 결정한 인텔이 낸드 시장에서 약 8%대의 점유율을 기록하고 있다는 점을 감안하면 조만간 낸드에서도 양사가 절반을 차지할 것으로 보인다.

금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 삼성전자의 올해 1분기 영업이익 컨센서스(증권가 전망치 평균)는 8조5025억원으로 전년동기 대비 30% 이상 증가할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 1분기 영업이익이 1조2102억으로 51.22% 늘어날 것이라는 전망이다.